Коршунов Фёдор Павлович

Ученый в области радиационной физики твердого тела, физики полупроводников и микроэлектроники. Член-корреспондент НАН Беларуси. Доктор технических наук, профессор.

Биография

Фёдор Павлович Коршунов родился 15 мая 1934 г. в д. Травна Краснопольского района Могилевской области. Окончил Рижское высшее инженерно-авиационное военное училище ВВС (1957). С 1962 г. в Институте физики твердого тела и полупроводников АН БССР (с 2008 г. Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению), с 1968 г. заведующий лабораторией, одновременно в 1985–1994 гг. заместитель директора по научной работе этого института, в 1979–1995 гг. профессор Белорусского государственного университета информатики и радиоэлектроники.

Работы по радиационной физике твердого тела, физике полупроводников, микроэлектронике и радиационной технологии полупроводниковых приборов. Установил причины деградации характеристик полупроводниковых р-n-структур при облучении их ионизирующими излучениями. Обнаружил радиационные эффекты расширения и смещения р-n-перехода, термостабилизации напряжения лавинного пробоя р-n-перехода, эффект малых доз облучения в высокоомном кремнии, эпитаксиальных пленках и МДП-структурах, приводящий к упорядочению неравновесности структуры. Экспериментально зарегистрировано и исследовано рентгеновское излучение в кристаллах кремния при каналировании электронов с энергией 4–5 МэВ.

Автор более 500 научных работ, в т. ч. 3 монографий, 75 изобретений.

Государственная премия БССР 1980 г. за комплекс исследований и разработку прогрессивной технологии изготовления полупроводниковых приборов и ее внедрение в производство.

Награжден орденом «Знак Почета» (1986), 3 медалями.